ГлавнаяПродуктыДискретных полупроводниковых изделийТранзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл, заранее прRN1423TE85LF
Изображения только для ознакомления См. Спецификации продукта

RN1423TE85LF

Mfr# RN1423TE85LF
Mfr. Toshiba Semiconductor and Storage
Описание TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Статус RoHS Без свинца / Соответствует RoHS
Дополнительная информация Узнайте больше о Toshiba Semiconductor and Storage RN1423TE85LF
Спецификация RN1423TE85LF.pdf

Описание

Мы можем предоставить RN1423TE85LF, использовать форму запроса для запроса цены RN1423TE85LF и времени выполнения заказа. NewBue является профессиональным дистрибьютором электронных компонентов. С 7+ миллионами позиций доступных электронных компонентов можно отгрузить в короткие сроки, более 250 тысяч наименований электронных компонентов на складе для немедленной доставки, которые могут включать в себя номер детали RN1423TE85LF. Цена и время выполнения для RN1423TE85LF в зависимости от количества Требуется наличие, наличие и местоположение склада. Свяжитесь с нами сегодня, и наш торговый представитель предоставит вам цену и доставку по части № RN1423TE85LF. Мы с нетерпением ждем сотрудничества с вами для установления долгосрочных отношений сотрудничества.
Пожалуйста, заполните все обязательные поля своей контактной информацией. Нажмите «Запрос предложений», и мы вскоре свяжемся с вами по электронной почте. Или напишите нам: .
  • Быть в наличии:261622 pcs
  • На заказ:0 pcs
  • минимальный:1 pcs
  • Множественные:1 pcs
  • Время выполнения фабрики::Call

Используйте форму ниже, чтобы отправить запрос на предложение

Проходная цена(USD)
*Количество
*Часть №
*Эл. почта
*Контактное лицо
*Телефон
*Компания
Сообщение
Тип продуктов RN1423TE85LF
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Описание TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Без свинца / Соответствует RoHS
Кол-во в наличии 261622 pcs
Спецификация RN1423TE85LF.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA
Тип транзистор NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства S-Mini
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 4.7 kOhms
Резистор - основание (R1) 4.7 kOhms
Мощность - Макс 200mW
упаковка Tape & Reel (TR)
Упаковка / TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Другие названия RN1423(TE85L,F)
Тип установки Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL) 1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления 11 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Lead free / RoHS Compliant
Частота - Переход 300MHz
Подробное описание Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 100mA, 1V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 800mA
Номер базового номера RN142*

Новости отрасли