ГлавнаяПродуктыДискретных полупроводниковых изделийТранзисторы - канальные транзисторы, полевые транзIRF6619
IRF6619 Image
Изображения только для ознакомления См. Спецификации продукта

IRF6619

Mfr# IRF6619
Mfr. International Rectifier (Infineon Technologies)
Описание MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Статус RoHS Содержит несоответствие свинца / RoHS
Дополнительная информация Узнайте больше о International Rectifier (Infineon Technologies) IRF6619
Спецификация IRF6619.pdf

Описание

Мы можем предоставить IRF6619, использовать форму запроса для запроса цены IRF6619 и времени выполнения заказа. NewBue является профессиональным дистрибьютором электронных компонентов. С 7+ миллионами позиций доступных электронных компонентов можно отгрузить в короткие сроки, более 250 тысяч наименований электронных компонентов на складе для немедленной доставки, которые могут включать в себя номер детали IRF6619. Цена и время выполнения для IRF6619 в зависимости от количества Требуется наличие, наличие и местоположение склада. Свяжитесь с нами сегодня, и наш торговый представитель предоставит вам цену и доставку по части № IRF6619. Мы с нетерпением ждем сотрудничества с вами для установления долгосрочных отношений сотрудничества.
Пожалуйста, заполните все обязательные поля своей контактной информацией. Нажмите «Запрос предложений», и мы вскоре свяжемся с вами по электронной почте. Или напишите нам: .
  • Быть в наличии:23169 pcs
  • На заказ:0 pcs
  • минимальный:1 pcs
  • Множественные:1 pcs
  • Время выполнения фабрики::Call

Используйте форму ниже, чтобы отправить запрос на предложение

Проходная цена(USD)
*Количество
*Часть №
*Эл. почта
*Контактное лицо
*Телефон
*Компания
Сообщение
Тип продуктов IRF6619
производитель International Rectifier (Infineon Technologies)
Описание MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Содержит несоответствие свинца / RoHS
Кол-во в наличии 23169 pcs
Спецификация IRF6619.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DIRECTFET™ MX
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
упаковка Tape & Reel (TR)
Упаковка / DirectFET™ Isometric MX
Другие названия IRF6619TR
SP001526848
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL) 3 (168 Hours)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5040pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 57nC @ 4.5V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Подробное описание N-Channel 20V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30A (Ta), 150A (Tc)

Новости отрасли